￥ 1.087

STGF10NC60KD 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-220-3

描述:

STMICROELECTRONICS STGF10NC60KD 单晶体管, IGBT, 9 A, 2.5 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STGF10NC60KD 数据手册 (30 页)

封装尺寸在11 页 12 页 13 页 14 页 15 页 16 页 17 页 18 页 19 页 20 页 21 页 22 页 23 页

STGF10NC60KD 数据手册 (30 页)

查看文档

或点击图片查看大图

STGF10NC60KD 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

9.00 A

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

极性

N-Channel

功耗

25 W

上升时间

6 ns

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

反向恢复时间

22 ns

额定功率(Max)

25 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

25 W

查看数据手册 >

STGF10NC60KD 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

16.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

STGF10NC60KD 符合标准

STGF10NC60KD 海关信息

STGF10NC60KD 概述

STGF10NC60KD 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

30 页 / 1.61 MByte

STGF10NC60KD 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

21 页 / 0.57 MByte

STGF10NC60KD 其他参考文件

ST Microelectronics（意法半导体）

1 页 / 0.13 MByte

STGF10NC60 数据手册

STGF10NC60KD 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STGF10NC60KD 单晶体管, IGBT, 9 A, 2.5 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚

STGF10NC60HD 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STGF10NC60HD 单晶体管, IGBT, 9 A, 2.5 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚

STGF10NC60SD 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STGF10NC60KD_07 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道600V - 10A - D2PAK / TO- 220 / TO- 220FP短路额定的PowerMESH TM IGBT N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / TO-220FP Short circuit rated PowerMESH TM IGBT

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号