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STGF7NC60HD 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
IGBT晶体管
封装:
TO-220-3
描述:
STGF7NC60HD 系列 N 沟道 600 V 6 A 极快 PowerMesh IGBT - TO-220FP
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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STGF7NC60HD 数据手册 (22 页)
封装尺寸
在
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STGF7NC60HD 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
600 V
额定电流
6.00 A
封装
TO-220-3
额定功率
25 W
极性
N-Channel
功耗
25 W
上升时间
8.50 ns
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
反向恢复时间
37 ns
额定功率(Max)
25 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
25000 mW
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STGF7NC60HD 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
9.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >
STGF7NC60HD 符合标准
STGF7NC60HD 海关信息
STGF7NC60HD 概述
●
IGBT 分立,STMicroelectronics
●
### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics
●
绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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