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STGP10NC60KD 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-220-3

描述:

STMICROELECTRONICS STGP10NC60KD 单晶体管, IGBT, 20 A, 2.5 V, 60 W, 600 V, TO-220, 3 引脚

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STGP10NC60KD 数据手册 (20 页)

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STGP10NC60KD 数据手册 (20 页)

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STGP10NC60KD 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

20.0 A

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

极性

N-Channel

功耗

60 W

上升时间

6.00 ns

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

反向恢复时间

22 ns

额定功率(Max)

65 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

60000 mW

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STGP10NC60KD 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

9.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STGP10NC60KD 符合标准

STGP10NC60KD 海关信息

STGP10NC60KD 概述

STGP10NC60KD 数据手册

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STGP10NC60KD 产品修订记录

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30 页 / 0.31 MByte

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