BOM智能匹配样例
登录
免费注册
Datasheet 搜索
> IGBT晶体管 > ST Microelectronics(意法半导体) > STGP10NC60S Datasheet 文档
器件3D模型
¥ 8.526
STGP10NC60S 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
IGBT晶体管
封装:
TO-220-3
描述:
IGBT 晶体管 10A-600V fast IGBT
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
STGP10NC60S 数据手册 (18 页)
封装尺寸
在
9 页
10 页
11 页
12 页
13 页
STGP10NC60S 数据手册
暂未收录 STGP10NC60S 的数据手册
登录以发送补充文档请求
登 录
申请补充文档
STGP10NC60S 数据手册 (18 页)
查看文档
或点击图片查看大图
STGP10NC60S 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
功耗
62500 mW
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
额定功率(Max)
62.5 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
62500 mW
查看数据手册 >
STGP10NC60S 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >
STGP10NC60S 符合标准
STGP10NC60S 海关信息
STGP10NC60S 数据手册
STGP10NC60S
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
18 页 / 1.23 MByte
STGP10NC60 数据手册
STGP10NC60
KD
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STGP10NC60KD 单晶体管, IGBT, 20 A, 2.5 V, 60 W, 600 V, TO-220, 3 引脚
STGP10NC60
HD
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
STGP10NC60HD 系列 N沟道 600 V 10 A 极快 IGBT 法兰安装 - TO-220-3
STGP10NC60
S
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
IGBT 晶体管 10A-600V fast IGBT
STGP10NC60
K
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600V - 10A - D2PAK / TO- 220 / DPAK短路额定的PowerMESH TM IGBT N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / DPAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT
STGP10NC60
H
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道10A - 600V - TO- 220非常快PowerMESH⑩ IGBT N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220 VERY FAST PowerMESH⑩ IGBT
器件 Datasheet 文档搜索
搜索
示例:
STM32F103
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件
关联型号
热门型号
最新型号
STM32F042F6P6
TL3843P
AD7689BCPZ
TLC59116IRHBR
GRM31CR71E106KA12L
PCF8574N
MMBD4148SE
1SMB5918BT3G
MX25R8035FZUIL0
更多热门型号文档
PCA9564PW
ISO122
AD5308BRUZ-REEL7
LM3485Q1MM/NOPB
C0603C104M5RAC
CS8416-CZZ
V250LA20APX10
BZX84C6V2LT1
L601E6RP
BZX84C13W-7-F
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z