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STGP8NC60KD 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-220-3

描述:

STGP8NC60K 系列 N 沟道 600V 8 A 额定短路电流 PowerMESH IGBT - TO-220

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STGP8NC60KD 数据手册 (18 页)

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STGP8NC60KD 数据手册 (18 页)

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STGP8NC60KD 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

功耗

65 W

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

反向恢复时间

23.5 ns

额定功率(Max)

65 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

65000 mW

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STGP8NC60KD 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STGP8NC60KD 符合标准

STGP8NC60KD 海关信息

STGP8NC60KD 概述

STGP8NC60KD 数据手册

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18 页 / 0.54 MByte

STGP8NC60KD 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 0.18 MByte

STGP8NC60KD 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

30 页 / 0.31 MByte

STGP8NC60 数据手册

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STGP8NC60K 系列 N 沟道 600V 8 A 额定短路电流 PowerMESH IGBT - TO-220

STGP8NC60K 数据手册

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N沟道600V - 8A - D2PAK / DPAK / TO- 220短路额定IGBT的PowerMESH N-channel 600V - 8A - D2PAK / DPAK / TO-220 Short circuit rated PowerMESH IGBT

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