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STGPL6NC60DI 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-220-3

描述:

STGP8NC60K 系列 N 沟道 600V 8 A 额定短路电流 PowerMESH IGBT - TO-220

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STGPL6NC60DI 数据手册 (18 页)

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STGPL6NC60DI 数据手册 (18 页)

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STGPL6NC60DI 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

功耗

56000 mW

输入电容

208 pF

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

热阻

62.5 ℃/W

反向恢复时间

23 ns

额定功率(Max)

56 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

56000 mW

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STGPL6NC60DI 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STGPL6NC60DI 符合标准

STGPL6NC60DI 海关信息

STGPL6NC60DI 概述

STGPL6NC60DI 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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N沟道600V - 6A - DPAK / D2PAK / TO- 220 / TO- 220FP超快速IGBT N-channel 600V - 6A - DPAK / D2PAK / TO-220 / TO-220FP Hyper fast IGBT

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