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STGW20NC60V
0.585
STGW20NC60V 数据手册 (20 页)
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STGW20NC60V 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
600 V
额定电流
30.0 A
封装
TO-247-3
极性
N-Channel
功耗
200 W
上升时间
11.0 ns
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
额定功率(Max)
200 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
200000 mW

STGW20NC60V 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.75 mm
宽度
5.15 mm
高度
20.15 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STGW20NC60V 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
20 页 / 0.45 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
51 页 / 2.12 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
35 页 / 2.4 MByte

STGW20NC60 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STGW20NC60VD  单晶体管, IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
ST Microelectronics(意法半导体)
STGW20NC60V 系列 600 V 30 A 法兰安装 极快速 IGBT - TO-247
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