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STGW30H60DF 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-247-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STGW30H60DF 数据手册 (24 页)

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STGW30H60DF 数据手册 (24 页)

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STGW30H60DF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

功耗

260000 mW

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

反向恢复时间

110 ns

额定功率(Max)

260 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

260000 mW

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STGW30H60DF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-40℃ ~ 175℃ (TJ)

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STGW30H60DF 符合标准

STGW30H60DF 海关信息

STGW30H60DF 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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