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器件3D模型
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STGW30H60DF 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
IGBT晶体管
封装:
TO-247-3
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
STGW30H60DF 数据手册 (24 页)
封装尺寸
在
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5
电气规格
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电气规格
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STGW30H60DF 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
功耗
260000 mW
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
反向恢复时间
110 ns
额定功率(Max)
260 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
260000 mW
查看数据手册 >
STGW30H60DF 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-40℃ ~ 175℃ (TJ)
查看数据手册 >
STGW30H60DF 符合标准
STGW30H60DF 海关信息
STGW30H60DF 数据手册
STGW30H60DF
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ST Microelectronics(意法半导体)
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