STGW30NC60W

￥ 3.09

STGW30NC60W 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-247-3

描述:

N沟道30A - 600V - TO- 247超快速开关的PowerMESH IGBT N-CHANNEL 30A - 600V - TO-247 Ultra FAST Switching PowerMESH IGBT

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STGW30NC60W 数据手册 (16 页)

封装尺寸在10 页 11 页 12 页 13 页

STGW30NC60W 数据手册 (16 页)

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STGW30NC60W 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

60.0 A

封装

TO-247-3

漏源极电阻

2.50 Ω

极性

N-Channel

功耗

200 W

漏源击穿电压

600 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

30.0 A

上升时间

12.0 ns

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

额定功率(Max)

200 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

200000 mW

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STGW30NC60W 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

长度

15.75 mm

宽度

5.15 mm

高度

20.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STGW30NC60W 符合标准

STGW30NC60W 海关信息

STGW30NC60W 数据手册

STGW30NC60W 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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