BOM智能匹配样例
登录
免费注册
Datasheet 搜索
> IGBT晶体管 > ST Microelectronics(意法半导体) > STGW30V60DF Datasheet 文档
器件3D模型
¥ 2.289
STGW30V60DF 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
IGBT晶体管
封装:
TO-247-3
描述:
600V,60A,IGBT带二极管
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
STGW30V60DF 数据手册 (22 页)
封装尺寸
在
11 页
12 页
13 页
14 页
15 页
16 页
17 页
18 页
STGW30V60DF 数据手册
暂未收录 STGW30V60DF 的数据手册
登录以发送补充文档请求
登 录
申请补充文档
STGW30V60DF 数据手册 (22 页)
查看文档
或点击图片查看大图
STGW30V60DF 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
功耗
258 W
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
反向恢复时间
53 ns
额定功率(Max)
258 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
258 W
查看数据手册 >
STGW30V60DF 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.75 mm
宽度
5.15 mm
高度
20.15 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
查看数据手册 >
STGW30V60DF 符合标准
STGW30V60DF 海关信息
STGW30V60DF 概述
●
IGBT 分立,STMicroelectronics
查看数据手册 >
更多
STGW30V60DF 数据手册
STGW30V60DF
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
22 页 / 1.86 MByte
STGW30V60DF
其他数据使用手册
ST Microelectronics(意法半导体)
17 页 / 0.18 MByte
STGW30V60DF
产品修订记录
ST Microelectronics(意法半导体)
9 页 / 0.23 MByte
STGW30V60 数据手册
STGW30V60
DF
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
600V,60A,IGBT带二极管
STGW30V60
F
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
IGBT 分立,STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
器件 Datasheet 文档搜索
搜索
示例:
STM32F103
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件
关联型号
热门型号
最新型号
TM4C1294KCPDTI3R
UC2845BN
TXB0102DCUR
BLM21PG220SN1D
INA126P
AD623ARMZ
EEEFK1C101P
STM32F070F6P6
S29JL064J70TFI000
更多热门型号文档
STPS1545D
WR06X1004FTL
LM358DG
FDG6304P
NCP1081DEG
NT3H2211W0FTTJ
K104K15X7RF53H5
WR08X4701FTL
SN75LBC184P
SN74HCT157N
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z