￥ 5.717

STGW80H65DFB-4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-247-4

描述:

IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STGW80H65DFB-4 数据手册 (22 页)

封装尺寸在12 页 13 页 14 页 15 页 16 页 17 页 18 页 19 页 20 页

STGW80H65DFB-4 数据手册 (22 页)

查看文档

或点击图片查看大图

STGW80H65DFB-4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

4 Pin

封装

TO-247-4

功耗

469000 mW

击穿电压(集电极-发射极)

650 V

反向恢复时间

85 ns

额定功率(Max)

469 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

469000 mW

查看数据手册 >

STGW80H65DFB-4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

查看数据手册 >

STGW80H65DFB-4 符合标准

STGW80H65DFB-4 海关信息

STGW80H65DFB-4 概述

STGW80H65DFB-4 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

22 页 / 1.42 MByte

STGW80H65 数据手册

STGW80H65DFB 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

STGW80H65FB 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STGW80H65DFB-4 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed

STGW80H65FB-4 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号