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STGWA40H120DF2 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-247-3

描述:

IGBT管/模块 STGWA40H120DF2 TO-247-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STGWA40H120DF2 数据手册 (19 页)

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STGWA40H120DF2 数据手册 (19 页)

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STGWA40H120DF2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

功耗

468000 mW

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

反向恢复时间

488 ns

额定功率(Max)

468 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

468000 mW

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STGWA40H120DF2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STGWA40H120DF2 符合标准

STGWA40H120DF2 海关信息

STGWA40H120DF2 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

19 页 / 0.68 MByte

STGWA40H120DF2 开发手册

ST Microelectronics（意法半导体）

35 页 / 2.4 MByte

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IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed

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