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器件3D模型
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STGWA60H65DFB 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
IGBT晶体管
封装:
TO-247-3
描述:
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
STGWA60H65DFB 数据手册 (19 页)
封装尺寸
在
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电气规格
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STGWA60H65DFB 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
功耗
375 W
击穿电压(集电极-发射极)
650 V
反向恢复时间
60 ns
额定功率(Max)
375 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
375000 mW
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STGWA60H65DFB 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
20.15 mm
宽度
15.75 mm
高度
5.15 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃
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STGWA60H65DFB 符合标准
STGWA60H65DFB 海关信息
STGWA60H65DFB 概述
●
IGBT 沟槽型场截止 通孔 TO-247 长引线
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开发手册
ST Microelectronics(意法半导体)
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IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
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