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STL13DP10F6 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

PowerFLAT-5x6-8

描述:

N 沟道 100 V 3.3 A 0.136 Ohm STripFET VI DeepGATE Mosfet - PPAK SO-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STL13DP10F6 数据手册 (14 页)

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STL13DP10F6 数据手册 (14 页)

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STL13DP10F6 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerFLAT-5x6-8

极性

P-CH

功耗

4 W

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

13A

上升时间

4.8 ns

输入电容值(Ciss)

864pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

62.5 W

下降时间

4.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

62500 mW

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STL13DP10F6 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

高度

0.81 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STL13DP10F6 符合标准

STL13DP10F6 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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STL13DP10 数据手册

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N 沟道 100 V 3.3 A 0.136 Ohm STripFET VI DeepGATE Mosfet - PPAK SO-8

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