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STL140N4F7AG 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

PowerVDFN-8

描述:

STMICROELECTRONICS STL140N4F7AG 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0021 ohm, 10 V, 4 V 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STL140N4F7AG 数据手册 (17 页)

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STL140N4F7AG 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerVDFN-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0021 Ω

极性

N-Channel

功耗

111 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

40 V

上升时间

6.6 ns

输入电容值(Ciss)

2300pF @25V(Vds)

下降时间

5.7 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

111 W

STL140N4F7AG 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5.4 mm

宽度

6.2 mm

高度

0.95 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TA)

STL140N4F7AG 符合标准

STL140N4F7AG 海关信息

STL140N4F7AG 概述

STL140N4F7AG 数据手册

STL140N4F7AG 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 0.18 MByte

STL140N4F7AG 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.9 MByte

STL140N4F7 数据手册

STL140N4F7AG 数据手册

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STMICROELECTRONICS STL140N4F7AG 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0021 ohm, 10 V, 4 V 新

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