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STL3N10F7 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

PowerFLAT-2x2-6

描述:

N-沟道 100 V 4 A 70 mOhm STripFET VII DeepGATE 功率 MOSFET 2 x 2

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STL3N10F7 数据手册 (14 页)

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STL3N10F7 数据手册 (14 页)

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STL3N10F7 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

PowerFLAT-2x2-6

功耗

2.4 W

漏源极电压(Vds)

100 V

上升时间

3 ns

输入电容值(Ciss)

408pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2.4 W

下降时间

4 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.4W (Tc)

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STL3N10F7 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STL3N10F7 符合标准

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14 页 / 0.84 MByte

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