￥ 1.473

STL56N3LLH5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

PowerFLAT-5x6-8

描述:

N沟道 30V 0.0076 ohm 15 A 功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STL56N3LLH5 数据手册 (13 页)

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STL56N3LLH5 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerFLAT-5x6-8

通道数

1 Channel

漏源极电阻

9 mΩ

极性

N-CH

功耗

62.5 W

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

56A

上升时间

15.6 ns

输入电容值(Ciss)

950pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

62.5 W

下降时间

6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

62.5W (Tc)

STL56N3LLH5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

高度

0.95 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STL56N3LLH5 符合标准

STL56N3LLH5 概述

STL56N3LLH5 数据手册

STL56N3LLH5 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

13 页 / 0.73 MByte

STL56N3LLH5 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 0.97 MByte

STL56N3 数据手册

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N沟道 30V 0.0076 ohm 15 A 功率MOSFET

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