￥ 1.475

STL8N80K5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

PowerFLAT-5x6-VHV-8

描述:

800V,0.8Ohm,4.5A,N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STL8N80K5 数据手册 (18 页)

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STL8N80K5 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerFLAT-5x6-VHV-8

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.8 Ω

极性

N-CH

功耗

42 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

800 V

连续漏极电流(Ids)

4.5A

上升时间

14 ns

输入电容值(Ciss)

450pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

42 W

下降时间

20 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

42W (Tc)

STL8N80K5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5.4 mm

宽度

6.35 mm

高度

0.95 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STL8N80K5 符合标准

STL8N80K5 海关信息

STL8N80K5 概述

STL8N80K5 数据手册

STL8N80K5 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

18 页 / 1.33 MByte

STL8N80K5 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 1.36 MByte

STL8N80 数据手册

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800V,0.8Ohm,4.5A,N沟道功率MOSFET

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