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STL90N3LLH6 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

PowerVDFN-8

描述:

N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STL90N3LLH6 数据手册 (16 页)

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STL90N3LLH6 数据手册 (16 页)

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STL90N3LLH6 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerVDFN-8

通道数

1 Channel

漏源极电阻

0.0038 Ω

极性

N-Channel

功耗

60 W

阈值电压

1.7 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

90A

上升时间

30 ns

输入电容值(Ciss)

1690pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

60 W

下降时间

12 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

60W (Tc)

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STL90N3LLH6 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

6 mm

高度

0.78 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STL90N3LLH6 符合标准

STL90N3LLH6 概述