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STN1HNK60
0.122
STN1HNK60 数据手册 (15 页)
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STN1HNK60 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
600 V
额定电流
400 mA
封装
TO-261-4
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
8 Ω
极性
N-Channel
功耗
3.3 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
600 V
漏源击穿电压
600 V
连续漏极电流(Ids)
500 mA
上升时间
5 ns
输入电容值(Ciss)
156pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3.3 W
下降时间
25 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3.3W (Tc)

STN1HNK60 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.5 mm
宽度
3.5 mm
高度
1.8 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STN1HNK60 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
15 页 / 0.41 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
16 页 / 0.45 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 0.04 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.13 MByte

STN1 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STN1HNK60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STN1NK80Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 250 mA, 800 V, 13 ohm, 30 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 200 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STN1NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 100 V, 700 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 200V - 1.2欧姆 - 1A - SOT- 223功率MOS晶体管 N - CHANNEL 200V - 1.2 ohm - 1A - SOT-223 POWER MOS TRANSISTOR
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道 600V 300mA
ST Microelectronics(意法半导体)
N - 通道800V - 16欧姆 - 0.2A - SOT- 223的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 800V - 16 ohm - 0.2A - SOT-223 PowerMESH] MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600V - 12ohm - 0.3A - SOT- 223 MOSFET PowerMesh⑩II N-CHANNEL 600V - 12ohm - 0.3A - SOT-223 PowerMesh⑩II MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Fast Switching
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