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STN1NK80Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-261-4

描述:

STMICROELECTRONICS STN1NK80Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 250 mA, 800 V, 13 ohm, 30 V, 3.75 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STN1NK80Z 数据手册 (15 页)

原理图在1 页

STN1NK80Z 数据手册 (15 页)

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STN1NK80Z 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

800 V

额定电流

250 mA

封装

TO-261-4

针脚数

4 Position

漏源极电阻

13 Ω

极性

N-Channel

功耗

2.5 W

阈值电压

3.75 V

输入电容

160 pF

栅电荷

7.70 nC

漏源极电压(Vds)

800 V

漏源击穿电压

800 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

250 mA

上升时间

30 ns

输入电容值(Ciss)

160pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2.5 W

下降时间

55 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Tc)

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STN1NK80Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.5 mm

宽度

3.5 mm

高度

1.8 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STN1NK80Z 符合标准

STN1NK80Z 海关信息

STN1NK80Z 概述