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STP100N8F6 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

80V,0.008Ohm,100A,N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP100N8F6 数据手册 (16 页)

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STP100N8F6 数据手册 (16 页)

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STP100N8F6 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

8 mΩ

功耗

176 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

80 V

漏源击穿电压

80 V

上升时间

46 ns

输入电容值(Ciss)

5955pF @25V(Vds)

下降时间

21 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

176W (Tc)

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STP100N8F6 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STP100N8F6 符合标准

STP100N8F6 概述

STP100N8F6 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 0.59 MByte

STP100N8F6 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

21 页 / 0.92 MByte

STP100N8F6 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

15 页 / 0.73 MByte

STP100N8 数据手册

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80V,0.008Ohm,100A,N沟道功率MOSFET

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