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器件3D模型
¥ 0.254
STP100N8F6 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
MOS管
封装:
TO-220-3
描述:
80V,0.008Ohm,100A,N沟道功率MOSFET
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
STP100N8F6 数据手册 (16 页)
封装尺寸
在
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10 页
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应用领域
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电气规格
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电气规格
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STP100N8F6 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
8 mΩ
功耗
176 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
80 V
漏源击穿电压
80 V
上升时间
46 ns
输入电容值(Ciss)
5955pF @25V(Vds)
下降时间
21 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
176W (Tc)
查看数据手册 >
STP100N8F6 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
查看数据手册 >
STP100N8F6 符合标准
STP100N8F6 概述
●
通孔 N 通道 80 V 100A(Tc) 176W(Tc) TO-220
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ST Microelectronics(意法半导体)
80V,0.008Ohm,100A,N沟道功率MOSFET
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