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STP10NM60ND 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

STMICROELECTRONICS STP10NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 600 V, 0.57 ohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP10NM60ND 数据手册 (19 页)

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STP10NM60ND 数据手册 (19 页)

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STP10NM60ND 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.57 Ω

极性

N-Channel

功耗

70 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

600 V

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

577pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

70 W

下降时间

9.8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

70W (Tc)

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STP10NM60ND 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

15.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STP10NM60ND 符合标准

STP10NM60ND 海关信息

STP10NM60ND 概述

STP10NM60ND 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

19 页 / 1.19 MByte

STP10NM60ND 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

21 页 / 1.1 MByte

STP10NM60ND 产品设计图

ST Microelectronics（意法半导体）

1 页 / 0.09 MByte

STP10NM60ND 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

4 页 / 0.01 MByte

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ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STP10NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V

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