STP10P6F6

￥ 0.883

STP10P6F6 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

P沟道60 V ， 0.15 I© （典型值）， 10 A STripFETâ ?? ¢六DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET采用DPAK和TO- 220封装 P-channel 60 V, 0.15 Î© typ., 10 A STripFETâ¢ VI DeepGATEâ¢ Power MOSFET in DPAK and TO-220 packages

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STP10P6F6 数据手册 (60 页)

或点击图片查看大图

STP10P6F6 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.13 Ω

极性

P-CH

功耗

30 W

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

10A

上升时间

5.3 ns

输入电容值(Ciss)

340pF @48V(Vds)

额定功率(Max)

35 W

下降时间

3.7 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

30W (Tc)

STP10P6F6 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

175℃ (TJ)

STP10P6F6 符合标准

STP10P6F6 海关信息

STP10P6F6 概述

STP10P6F6 数据手册

STP10P6F6 产品设计参考手册

ST Microelectronics（意法半导体）

60 页 / 4.35 MByte

STP10P6F6 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

23 页 / 1.5 MByte

STP10P6F6 开发手册

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.33 MByte

STP10P6F6 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

24 页 / 1.17 MByte

STP10P6F6 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

30 页 / 0.31 MByte

STP10P6 数据手册

STP10P6F6 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

P沟道60 V ， 0.15 I© （典型值）， 10 A STripFETâ ?? ¢六DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET采用DPAK和TO- 220封装 P-channel 60 V, 0.15 Î© typ., 10 A STripFETâ¢ VI DeepGATEâ¢ Power MOSFET in DPAK and TO-220 packages

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