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STP110N10F7 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STP110N10F7 数据手册 (27 页)

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STP110N10F7 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0051 Ω

功耗

150 W

阈值电压

4.5 V

漏源极电压(Vds)

100 V

输入电容值(Ciss)

5500pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

150 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

150W (Tc)

STP110N10F7 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

15.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STP110N10F7 符合标准

STP110N10F7 概述

STP110N10F7 数据手册

STP110N10F7 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

27 页 / 1.57 MByte

STP110N10F7 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 1.19 MByte

STP110N10F7 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

30 页 / 0.31 MByte

STP110N10 数据手册

STP110N10F7 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

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