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STP110N8F6 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

80V,110A,0.0065Ω,N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP110N8F6 数据手册 (14 页)

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STP110N8F6 数据手册 (14 页)

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STP110N8F6 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

5.6 mΩ

极性

N-CH

功耗

200 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

80 V

漏源击穿电压

80 V

连续漏极电流(Ids)

110A

上升时间

61 ns

输入电容值(Ciss)

9130pF @40V(Vds)

下降时间

48 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

200W (Tc)

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STP110N8F6 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

15.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STP110N8F6 符合标准

STP110N8F6 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.52 MByte

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STP110N8F6 产品封装文件

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13 页 / 0.53 MByte

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