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STP13NM60N
0.658
STP13NM60N 数据手册 (30 页)
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STP13NM60N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
0.28 Ω
极性
N-Channel
功耗
90 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
5.50 A
上升时间
8 ns
输入电容值(Ciss)
790pF @50V(Vds)
额定功率(Max)
90 W
下降时间
10 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
90W (Tc)

STP13NM60N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
15.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STP13NM60N 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
30 页 / 1.38 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
22 页 / 0.94 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
24 页 / 1.12 MByte

STP13NM60 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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