STP14NM50N

￥ 4.95

STP14NM50N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

STP14NM50N 系列 N 沟道 500 V 0.32 Ohm MDmesh II 功率 MOSFet - TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STP14NM50N 数据手册 (22 页)

封装尺寸在10 页 11 页 12 页 13 页 14 页 15 页 16 页 17 页

STP14NM50N 数据手册 (22 页)

2

3 技术参数、封装参数

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STP14NM50N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

0.28 Ω

极性

N-Channel

功耗

90 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

500 V

漏源击穿电压

500 V

连续漏极电流(Ids)

12A

上升时间

9 ns

输入电容值(Ciss)

816pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

90 W

下降时间

32 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

90W (Tc)

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STP14NM50N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

15.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STP14NM50N 符合标准

STP14NM50N 海关信息

STP14NM50N 概述

STP14NM50N 数据手册

STP14NM50N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

22 页 / 1.25 MByte

STP14NM50N 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

1 页 / 0.13 MByte

STP14NM50N 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

26 页 / 1.27 MByte

STP14NM50N 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

4 页 / 0.01 MByte

STP14NM50 数据手册

STP14NM50N 数据手册

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STP14NM50N 系列 N 沟道 500 V 0.32 Ohm MDmesh II 功率 MOSFet - TO-220-3

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