￥ 2.595

STP15NM60N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道600V - 0.270ヘ - 14A - D2 / I2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.270ヘ - 14A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STP15NM60N 数据手册 (18 页)

封装尺寸在10 页 11 页 12 页 13 页 14 页 15 页

STP15NM60N 数据手册 (18 页)

查看文档

或点击图片查看大图

STP15NM60N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-220-3

极性

N-CH

功耗

125W (Tc)

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

14A

输入电容值(Ciss)

1250pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

125 W

耗散功率(Max)

125W (Tc)

查看数据手册 >

STP15NM60N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

STP15NM60N 符合标准

STP15NM60N 概述

STP15NM60N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

18 页 / 0.6 MByte

STP15NM60 数据手册

STP15NM60ND 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STP15NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 600 V, 0.27 ohm, 10 V, 4 V

STP15NM60N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号