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STP170N8F7 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 80 V, 0.003 ohm, 10 V, 4.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STP170N8F7 数据手册 (12 页)

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STP170N8F7 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.003 Ω

功耗

250 W

阈值电压

4.5 V

输入电容

8710 pF

漏源极电压(Vds)

80 V

上升时间

53 ns

输入电容值(Ciss)

8710pF @40V(Vds)

下降时间

37 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

250W (Tc)

STP170N8F7 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STP170N8F7 符合标准

STP170N8F7 概述

STP170N8F7 数据手册

STP170N8F7 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

12 页 / 0.75 MByte

STP170N8 数据手册

STP170N8F7 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 80 V, 0.003 ohm, 10 V, 4.5 V

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