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STP180N55F3 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP180N55F3 数据手册 (14 页)

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STP180N55F3 数据手册 (14 页)

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STP180N55F3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

0.0032 Ω

极性

N-Channel

功耗

330 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

55 V

漏源击穿电压

55 V

连续漏极电流(Ids)

60.0 A

上升时间

150 ns

输入电容值(Ciss)

6800pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

330 W

下降时间

50 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

330W (Tc)

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STP180N55F3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

15.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STP180N55F3 符合标准

STP180N55F3 概述

STP180N55F3 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.43 MByte

STP180N55 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道55V - 2.9米欧姆 - 120A - D- 2 PAK - TO- 220的MDmesh -TM低电压功率MOSFET N-CHANNEL 55V - 2.9m-ohm - 120A - D-2 PAK - TO-220 MDmesh-TM Low Voltage Power MOSFET

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