￥ 3.517

STP185N55F3 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道55V - 3.2mΩ - 120A - D2PAK / TO- 220的STripFET ？功率MOSFET N-channel 55V - 3.2mヘ - 120A - D2PAK/TO-220 STripFET⑩ Power MOSFET

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3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP185N55F3 数据手册 (14 页)

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STP185N55F3 数据手册 (14 页)

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STP185N55F3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

极性

N-CH

功耗

330000 mW

输入电容

6800 pF

漏源极电压(Vds)

55 V

连续漏极电流(Ids)

120A

上升时间

150 ns

输入电容值(Ciss)

6800pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

330 W

下降时间

50 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

330W (Tc)

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STP185N55F3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STP185N55F3 符合标准

STP185N55F3 概述

STP185N55F3 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.32 MByte

STP185N55F3 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

5 页 / 0.11 MByte

STP185N55 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道55V - 2.9mohm - 120A - D2PAK / TO- 220 N-channel 55V - 2.9mohm - 120A - D2PAK/TO-220

STP185N55F3 数据手册

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N沟道55V - 3.2mΩ - 120A - D2PAK / TO- 220的STripFET ？功率MOSFET N-channel 55V - 3.2mヘ - 120A - D2PAK/TO-220 STripFET⑩ Power MOSFET

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