ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP18NM80 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP18NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道100 V， 4.0毫欧， 120一个的STripFET ？功率MOSFET D2PAK ， TO- 220 N-channel 100 V, 4.0 mΩ, 120 A STripFET? Power MOSFET D2PAK, TO-220
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP18N55M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 600 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性，非常适合用于谐振型开关电源（LLC 转换器）。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道55V - 3.2mΩ - 120A - D2PAK / TO- 220的STripFET ？功率MOSFET N-channel 55V - 3.2mヘ - 120A - D2PAK/TO-220 STripFET⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性，非常适合用于谐振型开关电源（LLC 转换器）。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP18N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 12 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V 新
