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STP19NF20 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP19NF20 数据手册 (16 页)

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STP19NF20 数据手册 (16 页)

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STP19NF20 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

漏源极电阻

0.15 Ω

极性

N-Channel

功耗

90 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

200 V

连续漏极电流(Ids)

7.50 A

上升时间

22 ns

正向电压(Max)

1.6 V

输入电容值(Ciss)

800pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

90 W

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

90000 mW

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STP19NF20 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

9.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STP19NF20 符合标准

STP19NF20 海关信息

STP19NF20 概述

STP19NF20 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 0.5 MByte

STP19NF20 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

27 页 / 1.02 MByte

STP19NF20 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

5 页 / 0.04 MByte

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N沟道200V - 0.15ohm - 19A - TO- 220 / TO- 220FP / I2PAK PowerMESH⑩ MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.15ohm - 19A - TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH⑩ MOSFET

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N沟道650 V - 0.25 Ω - 15.5 - TO- 220 / FP -D2 / I2PAK - TO-247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET

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N沟道200V - 0.15ohm - 19A - TO- 220 / TO- 220FP / I2PAK PowerMESH⑩ MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.15ohm - 19A - TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH⑩ MOSFET

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