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STP21N65M5
2.324
STP21N65M5 数据手册 (22 页)
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STP21N65M5 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.15 Ω
极性
N-Channel
功耗
125 W
阈值电压
4 V
输入电容
1950 pF
漏源极电压(Vds)
650 V
漏源击穿电压
650 V
连续漏极电流(Ids)
17A
上升时间
10 ns
输入电容值(Ciss)
1950pF @100V(Vds)
额定功率(Max)
125 W
下降时间
12 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
125W (Tc)

STP21N65M5 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
工作温度
150℃ (TJ)

STP21N65M5 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
22 页 / 1.4 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.09 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
4 页 / 0.01 MByte

STP21N65 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP21N65M5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 650 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V
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