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STP25N10F7 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道 100 V 0.035 Ohm 14 nC STripFET™ VII DeepGATE™ Mosfet - TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STP25N10F7 数据手册 (21 页)

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STP25N10F7 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.027 Ω

功耗

50 W

阈值电压

4.5 V

漏源极电压(Vds)

100 V

上升时间

14 ns

输入电容值(Ciss)

920pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

50 W

下降时间

4.6 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

50W (Tc)

STP25N10F7 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STP25N10F7 符合标准

STP25N10F7 数据手册

STP25N10F7 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

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STP25N10 数据手册

STP25N10F7 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道 100 V 0.035 Ohm 14 nC STripFET™ VII DeepGATE™ Mosfet - TO-220-3

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