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STP28N60M2
2.09
STP28N60M2 数据手册 (22 页)
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STP28N60M2 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.135 Ω
功耗
170 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
600 V
上升时间
7.2 ns
输入电容值(Ciss)
1440pF @100V(Vds)
额定功率(Max)
190 W
下降时间
8 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
170W (Tc)

STP28N60M2 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
15.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STP28N60M2 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
22 页 / 0.86 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
21 页 / 1.15 MByte

STP28N60 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源(LLC 转换器)。 其配置具有低栅极电荷,以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP28N60DM2  Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V 新
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