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STP33N60M2 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 600 V, 0.108 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STP33N60M2 数据手册 (20 页)

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STP33N60M2 数据手册 (20 页)

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STP33N60M2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.108 Ω

功耗

190 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

600 V

上升时间

9.6 ns

输入电容值(Ciss)

1781pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

190 W

下降时间

9 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

190W (Tc)

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STP33N60M2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STP33N60M2 符合标准

STP33N60M2 概述

STP33N60M2 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

20 页 / 1.06 MByte

STP33N60M2 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

27 页 / 1.57 MByte

STP33N60M2 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

19 页 / 1.09 MByte

STP33N60M2 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

9 页 / 0.23 MByte

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晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 600 V, 0.108 ohm, 10 V, 3 V

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晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 600 V, 0.105 ohm, 10 V, 4 V

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