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STP36N05L 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

封装:

TO-220

描述:

N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP36N05L 数据手册 (10 页)

原理图在1 页

STP36N05L 数据手册 (10 页)

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STP36N05L 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-220

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

50 V

连续漏极电流(Ids)

36A

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STP36N05L 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

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STP36N05L 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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STP36N05 数据手册

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