STP36N06 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS  STP36NF06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 2.5 V

STMICROELECTRONICS  STP36NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V

N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STMICROELECTRONICS  STP36NF06FP  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 60 V, 40 mohm, 10 V, 4 V

N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 4 V

N - CHANNEL 60V - 0.032ohm - 36A - TO- 220 / TO- 220FP的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 60V - 0.032ohm - 36A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET

N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

N - CHANNEL 60V - 0.032ohm - 36A - TO- 220 / TO- 220FP的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 60V - 0.032ohm - 36A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET