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STP40N65M2
8.611
STP40N65M2 数据手册 (15 页)
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STP40N65M2 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
87 mΩ
极性
N-CH
功耗
250 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
650 V
漏源击穿电压
650 V
连续漏极电流(Ids)
32A
上升时间
10 ns
输入电容值(Ciss)
2355pF @100V(Vds)
下降时间
12 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
250W (Tc)

STP40N65M2 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
15.75 mm
工作温度
150℃ (TJ)

STP40N65M2 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
15 页 / 0.32 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
14 页 / 0.42 MByte

STP40N65 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
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