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STP40NF10L 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N 通道 STripFET™，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP40NF10L 数据手册 (12 页)

封装尺寸在9 页 10 页

STP40NF10L 数据手册 (12 页)

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STP40NF10L 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

40.0 A

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.028 Ω

极性

N-Channel

功耗

150 W

阈值电压

1.7 V

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

栅源击穿电压

±17.0 V

连续漏极电流(Ids)

40.0 A

上升时间

82 ns

输入电容值(Ciss)

2300pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

150 W

下降时间

24 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

150W (Tc)

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STP40NF10L 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

9.15 mm

工作温度

175℃ (TJ)

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STP40NF10L 符合标准

STP40NF10L 概述

STP40NF10L 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

12 页 / 0.22 MByte

STP40NF10L 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

20 页 / 2.6 MByte

STP40NF10L 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

4 页 / 0.01 MByte

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STMICROELECTRONICS STP40NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 3 V

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STP40NF10_07 数据手册

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N沟道100V - 0.025з - 50A TO- 220低栅极电荷STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 100V - 0.025з - 50A TO-220 Low gate charge STripFET⑩ II Power MOSFET

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