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STP40NF12
0.381
STP40NF12 数据手册 (12 页)
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STP40NF12 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
120 V
额定电流
40.0 A
封装
TO-220-3
漏源极电阻
0.032 Ω
极性
N-Channel
功耗
150 W
阈值电压
2.8 V
漏源极电压(Vds)
120 V
漏源击穿电压
120 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
160 A
上升时间
63 ns
输入电容值(Ciss)
1880pF @25V(Vds)
下降时间
28 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150W (Tc)

STP40NF12 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STP40NF12 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
12 页 / 0.23 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.16 MByte

STP40 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP40NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP40NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 200 V, 38 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP40NF03L  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 22 mohm, 10 V, 1.7 V
ST Microelectronics(意法半导体)
单 N沟道 650 V 0.088 Ohm 250 W 通孔 功率 Mosfet - TO-220-3
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道120V ​​- 0.028W - 40A TO- 220低栅电荷STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 120V - 0.028W - 40A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道200V - 0.038欧姆 - 40A TO- 220 / TO- 247 / D2PAK低栅电荷的STripFET MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.038 OHM - 40A TO-220/TO-247/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源(LLC 转换器)。 其配置具有低栅极电荷,以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道150V - 0.042ohm - 40A TO- 220目OVERLAY⑩ MOSFET N-CHANNEL 150V - 0.042ohm - 40A TO-220 MESH OVERLAY⑩ MOSFET
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