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STP45NF06
0.263
STP45NF06 数据手册 (11 页)
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STP45NF06 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
38.0 A
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.028 Ω
极性
N-Channel
功耗
80 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
38.0 A
上升时间
100 ns
输入电容值(Ciss)
980pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
80 W
下降时间
20 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
80W (Tc)

STP45NF06 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
9.15 mm
工作温度
175℃ (TJ)

STP45NF06 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
11 页 / 0.31 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
20 页 / 2.6 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
13 页 / 0.67 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
4 页 / 0.01 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.16 MByte

STP45 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP45NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 60 V, 28 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP45N65M5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 35 A, 650 V, 0.067 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
车规级 N沟道 400V 38A
ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 60V - 0.022ohm - 45A - TO- 220 / TO- 220FP STripFETO功率MOSFET N - CHANNEL 60V - 0.022ohm - 45A - TO-220/TO-220FP STripFETO POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道30V - 0.014ohm - 45A TO- 220 - TO- 220FP - D2PAK的STripFET II功率MOSFET N-channel 30V - 0.014ohm - 45A TO-220 - TO-220FP - D2PAK STripFET II power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 100V - 0.027ohm - 45A - TO- 220 / TO- 220FI功率MOS晶体管 N - CHANNEL 100V - 0.027ohm - 45A - TO-220/TO-220FI POWER MOS TRANSISTOR
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.022ohm - 38A TO- 220 / D2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.022ohm - 38A TO-220 / D2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道30V - 0.014ohm - 45A TO- 220 - TO- 220FP - D2PAK的STripFET II功率MOSFET N-channel 30V - 0.014ohm - 45A TO-220 - TO-220FP - D2PAK STripFET II power MOSFET
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