ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP4NK60ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP40NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP4NK60Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP4N150 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 1.5 kV, 5 ohm, 30 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP40NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 200 V, 38 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP45NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 60 V, 28 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP4NK80Z. 场效应管, MOSFET, N沟道, 800V, 3A, TO-220
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
