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STP4NK60Z
0.297
STP4NK60Z 数据手册 (17 页)
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STP4NK60Z 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
600 V
额定电流
4.00 A
封装
TO-220-3
额定功率
70 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
2 Ω
极性
N-Channel
功耗
70 W
阈值电压
3.75 V
漏源极电压(Vds)
600 V
漏源击穿电压
600 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
4.00 A
上升时间
9.5 ns
输入电容值(Ciss)
510pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
70 W
下降时间
16.5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
70W (Tc)

STP4NK60Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
9.15 mm
工作温度
150℃ (TJ)

STP4NK60Z 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
17 页 / 0.54 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
16 页 / 0.67 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
26 页 / 1.04 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
4 页 / 0.01 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
16 页 / 0.74 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.12 MByte

STP4NK60 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP4NK60ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP4NK60Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 3.75 V
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