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STP4NK80ZFP
0.544
STP4NK80ZFP 数据手册 (18 页)
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STP4NK80ZFP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
极性
N-CH
功耗
25 W
阈值电压
4.5 V
输入电容
575 pF
漏源极电压(Vds)
800 V
连续漏极电流(Ids)
3A
上升时间
12 ns
输入电容值(Ciss)
575pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
25 W
下降时间
32 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
25000 mW

STP4NK80ZFP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
9.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STP4NK80ZFP 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
18 页 / 0.53 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
28 页 / 1.03 MByte

STP4NK80 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP4NK80Z.  场效应管, MOSFET, N沟道, 800V, 3A, TO-220
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道800V - 3ヘ - 3A - TO- 220 / TO- 220FP / DPAK / IPAK齐纳 - 保护SuperMESH⑩ MOSFET N-channel 800V - 3ヘ - 3A - TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener - Protected SuperMESH⑩ MOSFET
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