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STP55NE06FP 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220

描述:

N - 沟道增强型单一特征尺寸功率MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP55NE06FP 数据手册 (9 页)

原理图在1 页

STP55NE06FP 数据手册 (9 页)

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STP55NE06FP 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-220

漏源极电阻

0.022 Ω

极性

N-Channel

功耗

35 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

60 V

工作温度(Max)

175 ℃

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STP55NE06FP 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

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STP55NE06FP 符合标准

STP55NE06FP 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

9 页 / 0.11 MByte

STP55NE06 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N - 沟道增强型单一特征尺寸功率MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET

STP55NE06FP 数据手册

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