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STP5NK50Z
0.94
STP5NK50Z 数据手册 (17 页)
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STP5NK50Z 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
500 V
额定电流
4.40 A
封装
TO-220-3
额定功率
70 W
漏源极电阻
1.22 Ω
极性
N-Channel
功耗
70 W
阈值电压
3.75 V
漏源极电压(Vds)
500 V
漏源击穿电压
500 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
4.40 A
上升时间
10 ns
输入电容值(Ciss)
535pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
70 W
下降时间
15 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
70W (Tc)

STP5NK50Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STP5NK50Z 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
17 页 / 0.36 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
20 页 / 2.6 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
29 页 / 0.65 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
4 页 / 0.01 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.16 MByte

STP5NK50 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道500V - 1.22Ω - 4.4A TO- 220 / FP -D / IPAK - D2 / I2PAK齐纳保护的超网MOSFET ? N-CHANNEL 500V - 1.22Ω - 4.4A TO-220/FP-D/IPAK-D2/I2PAK Zener-Protected SuperMESH?MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP5NK50ZFP  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.4 A, 500 V, 1.22 ohm, 10 V, 3.75 V
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