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STP5NK80Z
1.532
STP5NK80Z 数据手册 (15 页)
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STP5NK80Z 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
800 V
额定电流
4.30 A
封装
TO-220-3
额定功率
110 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
1.9 Ω
极性
N-Channel
功耗
110 W
阈值电压
3.75 V
漏源极电压(Vds)
800 V
漏源击穿电压
800 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
4.30 A
上升时间
25 ns
输入电容值(Ciss)
910pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
110 W
下降时间
30 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
110000 mW

STP5NK80Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
9.15 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STP5NK80Z 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
15 页 / 0.33 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
20 页 / 2.6 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
4 页 / 0.01 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
10 页 / 0.37 MByte

STP5NK80 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道800V - 1.9ohm - 4.3A TO- 220 / TO- 220FP齐纳保护SuperMESH⑩Power MOSFET N-CHANNEL 800V - 1.9ohm - 4.3A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP5NK80ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.3 A, 800 V, 1.9 ohm, 10 V, 3.75 V
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